中国芯要崛起了!复旦教授突破关键技术,EUV光刻机也有新进展

近段时间以来,包括我国的中科院,以及台积电、ASML在内的各家科技企业及研究院,都致力于从新的角度来攻克半导体行业。前段时间,中科院宣布率先研发出8英寸碳基芯片,为国产芯片产业的“弯道超车”提供了新的可能性。

中国芯要崛起了!复旦教授突破关键技术,EUV光刻机也有新进展

新型的碳基芯片相较于传统的硅基芯片,具备更佳的稳定性,并且不需用到ASML最顶级的EUV光刻机便能生产。这个突破对于被卡在光刻机方面的我国来说,无异于是一个极好的消息。

当然,这层突破是基于对芯片本身的性能提升,提升芯片自身性能的方法不止这一个,近期,我国半导体领域又有好消息传来,在提升芯片性能方面,我国又有新突破。

复旦大学教授突破关键技术

本月17日,复旦大学微电子学院传来好消息,该校的周鹏教授研究团队在3nm/5nm芯片的关键技术方面,已成功验证了GAA(Gate All Around)晶体管技术。

目前在芯片行业,FinFET晶体管是主流,从20纳米到7纳米都采用的FinFET晶体管设计。但是到了3纳米和5纳米的芯片节点,FinFET晶体管已经难以为继。因此GAA(Gate All Around)晶体管应运而生。

据了解,GAA(Gate All Around)技术相较于传统的FinFET晶体管有很大的优势,在提升性能的同时,还实现了高驱动电流和低泄漏电流的融合统一。被业界公认为取代FinFET晶体管的新一代芯片核心技术。

GAA晶体管研究虽然在国内属于空白,但在世界范围内已有先例,此前三星和台积电便已掌握GAA晶体管技术,据说韩国三星已率先将GAA晶体管应用至3nm芯片的量产计划中,最早会在2022年进行投产。

相对保守的台积电在3nm工艺上,仍选择采用传统的FinFET晶体管,但下一代的2纳米也会采用GAA晶体管。

中国芯要崛起了!复旦教授突破关键技术,EUV光刻机也有新进展

EUV光刻机传来新进展

今年我国的各大科技企业几乎都埋头于国产自主芯片的攻关,经过一年的打拼和沉淀,也终于在近段时间收获好消息,除了复旦大学团队在3nm-5nm关键技术上的突破,我国的芯片代工巨头中芯国际也有好消息传来。

中国芯要崛起了!复旦教授突破关键技术,EUV光刻机也有新进展

中芯国际联合首席执行官梁孟松透露,中芯国际也加了3纳米和5纳米芯片的竞争行列,目前对3nm和5nm最关键最艰难的八大技术展开了攻关,只待ASML的EUV光刻机到货,就能进入全面开发阶段。

2018年中芯国际曾斥资1.2亿美元从ASML订购了一台EUV极紫外光刻机,但是至今没有到货。

好在如今也有了新进展。中芯国际最近聘请台积电“元老”蒋尚义担任副董事长兼执行董事。在蒋尚义的帮助下,中芯国际将与ASML重新谈判EUV光刻机的供货问题,不会放弃对EUV光刻机的追求。

此外中国近日也与荷兰举行了经贸合作会议,中国方面明确要求荷兰EUV光刻机等问题上秉持公平立场。假如谈判成功,中芯国际顺利获得EUV光刻机,再加上复旦大学团队在3nm-5nm芯片关键技术上的突破,我国便能在3nm芯片的国产化方面取得极大的推进。

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